A Samsung revelou um novo módulo de RAM que mostra o potencial da memória DDR5 em termos de velocidade e capacidade. O módulo DDR5 de 512GB é o primeiro a usar a tecnologia HighK Metal Gate (HKMG), fornecendo velocidades de 7.200 Mbps – mais do dobro da DDR4, disse a Samsung. Neste momento, ele se destina a supercomputação de dados, IA e funções de aprendizagem de máquinas, mas o DDR5 eventualmente encontrará seu caminho para PCs regulares, impulsionando jogos e outras aplicações.
A Samsung usou pela primeira vez a tecnologia HKMG em 2018 com chips GDDR6 usados em GPUs. Desenvolvida pela Intel, ela usa háfnio ao invés de silício, com metais substituindo os eletrodos normais de porta polissilício. Tudo isso permite maiores densidades de chip, ao mesmo tempo em que reduz o vazamento de corrente.
Cada chip usa oito camadas de chips DRAM de 16Gb para uma capacidade de 128Gb, ou 16GB. Como tal, a Samsung precisaria de 32 deles para fazer um módulo de 512GB de RAM. Além das velocidades e capacidade mais altas, a Samsung disse que o chip usa 13% menos energia que os módulos não-HKMG – ideal para centros de dados, mas também não tão ruim para PCs comuns.
Com velocidades de 7.200 Mbps, o último módulo da Samsung forneceria cerca de 57,6 GB/s de velocidade de transferência em um único canal. No comunicado de imprensa da Samsung, a Intel observou que a memória seria compatível com seus processadores escaláveis Xeon “Sapphire Rapids” da próxima geração. Essa arquitetura usará um controlador de memória DDR5 de oito canais, para que pudéssemos ver configurações de memória multi-terabytes com velocidades de transferência de memória tão altas quanto 460 GB/s. Enquanto isso, os primeiros PCs de consumo poderiam chegar em 2022 quando a AMD desvendar sua plataforma Zen 4, a qual, segundo rumores, suporta o DDR5.
Fonte: https://www.engadget.com/samsung-unveils-a-512-gb-ddr-5-ram-module-102447443.html
